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第二百七十一章 成功了!光刻工厂实现了!

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  3纳米极紫外光?

检测光束设备给出的数据反馈让所有人大吃一惊,3纳米的极紫外光束,这岂不是说他们即将具备制造3纳米芯片的条件?

众所周知,在不考虑《多重曝光技术》的情况下,想要刻出几纳米级的芯片,就要先制造出多少纳米的紫外光光源。

193纳米的深紫外光还好说,大自然里面也能找得到,但13.5纳米及以下的极紫外光,那就必须由人为创造。

深紫外光和极紫外光,和分别对应了DUV光刻机和EUV光刻机,后者现在还处于禁止出口龙国的设备清单里面。

一旦这束光源被证实,确实是可以运用于光刻的极紫外光,那么整个芯片行业都将被颠覆。

“真是3纳米吗?”

夏扬神色激动,向前一步。

他大学虽然学的不是半导体,但这并不代表他不懂芯片制造。

想要光刻14纳米芯片,就要制造13.5纳米波长的极紫外光,这在各种半导体咨询媒体铺天盖地宣传下,早已经人尽皆知。

3纳米波长?

岂不是能刻3纳米芯片?

雷兵也忍不住上前一步,询问道:“这束光能用吗?如果能用是不是意味着我们能造3纳米芯片了?”

现在主流芯片是14纳米,无论是龙兴科技的SOC上帝芯片,还是苹果公司的A9s仿生芯片,亦或者说是髙通公司刚刚推出的骁龙821芯片,它们都是14纳米制程,根本够不着3纳米的边边。

要是真能造3纳米芯片,那可不是小小的科技震撼,而是向整个半导体芯片行业扔了个蘑菇弹,要颠覆整个行业的事情了。

“不能这样说。”

陈星从震撼中回过神,给雷兵与夏扬讲解道:“具备光源还不够,如果真要造3纳米芯片,我们还要经历芯片设计与研制光刻胶。”

在半导体领域,可不仅仅光刻机和紫外光有纳米等级,光刻胶同样有纳米等级区分。

像目前龙兴化工研制的1号光刻胶,它的曝光波长就在193纳米,最高支持7纳米芯片制造,这还是有多重曝光技术加持的情况下。

想要制造出3纳米芯片,3纳米极紫外光、3纳米芯片电路设计、3纳米曝光波长光刻胶缺一不可,这也是为什么,芯片纳米等级推进缓慢的原因。

每推进一步,都需要各行业跟进,一旦说光刻胶不行,那有极紫外光和电路设计图也没用。


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